Танталовый лист 0,25х120х100 мм ТВЧ в Ноябрьске

Помимо химического состава, наиболее критичными факторами окружающей среды для долговечности танталового листа являются температура, давление, наличие абразивных частиц, уровень радиационного воздействия, а также концентрация водорода и фторид-ионов. Эти параметры могут существенно влиять на скорость коррозии и механические свойства.

Танталовый лист марки ТВЧ превосходит большинство других марок танталового листа (например, ТаВ с высоким содержанием ниобия) в средах с повышенным содержанием хлоридов благодаря своей высокой чистоте. Примеси могут создавать микрогальванические пары, усиливая локальную коррозию, тогда как чистый тантал остается пассивным и устойчивым к питтингу.

Танталовый лист марки ТВ-5, содержащий 5% вольфрама, дает преимущества при изготовлении высокоточных деталей благодаря своей повышенной прочности и твердости по сравнению с чистым танталом. Это обеспечивает лучшую стабильность размеров после механической обработки и формовки, минимизируя деформации.

Особенности обработки поверхности танталового листа для улучшения адгезии покрытий включают механическую очистку (шлифовка, пескоструйная обработка), химическое травление (для удаления оксидов и жиров) и активацию поверхности. Целью является создание чистой, слегка шероховатой поверхности без загрязнений.

Для танталового листа толщиной 2 мм подходят методы механической обработки, такие как холодная штамповка, глубокая вытяжка, гибка, резка гильотиной или лазером, а также токарная и фрезерная обработка. Важно использовать острый инструмент и адекватное охлаждение для предотвращения налипания и упрочнения.

Танталовый лист марки ТВ-5, как и чистый тантал, обладает исключительной стойкостью к царской водке при комнатной температуре. Скорость коррозии крайне низка, практически незаметна. Это делает его подходящим для работы с данной высокоагрессивной средой.

В производстве анодов для электролитических конденсаторов применяются танталовые листы высокой чистоты, прежде всего марки ТВЧ. Его способность к формированию стабильной и тонкой диэлектрической оксидной пленки с высоким пробивным напряжением критична для характеристик конденсатора.